●R(mΩ?>1012)微細クラック、汚染、TSVなど3D ICのアライメントズレ欠け
●ダイオード(Ion, Ioff, Vt, Ron, Cj)
●Tr(MOSFET/Ioff, Idlin, Idsat, Vth, Gm, Sst BJC/Ic, Ib, Ie, beta)ストレス特性プロセス特性
●その他:リングオシレータ、1Ghz特性、プロセス評価及びストレス特性
●インターコネクト、エレクトロマイグレーション(EM)、ストレスマイグレーション(SM)
●絶縁体、Inter Metal(Layer) Dielectric TDDB (IMD-TDDB)
●Tr MOSFET/FinFET BTI/ホットキャリア(HCI)サーモメカニカル疲労試験
●DFT DC Scan AC Scan
●BIST Boundary Scan
●ATPG, DWR(P1838)-TSV
●サーモメカニカル疲労試験
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